Mới đây, “ông đồng” Ming-Chi Kuo vừa đưa ra dự đoán mới nhất về việc Touch ID sẽ xuất hiện trên thế hệ iPhone 2021. Tuy nhiên, thay vì được đặt ở trung tâm viền dưới như những thế hệ iPhone cũ, Touch ID sẽ được tích hợp vào nút nguồn ở cạnh phải.
Cụ thể, theo chuyên gia phân tích Ming-Chi Kuo, vào năm 2021, ngoài những mẫu iPhone kế nhiệm iPhone 12, Apple sẽ còn ra mắt một phiên bản iPhone giá rẻ khác với màn hình LCD, và không hỗ trợ Face ID như các phiên bản cao cấp.
Thay vào đó, Apple sẽ trang bị cho thiết bị này một cảm biến vân tay Touch ID. Tuy nhiên thay vì được tích hợp vào nút Home như thế hệ iPhone iPhone 5S, iPhone 6/6 Plus,… cảm biến sẽ được đặt ở phần cạnh hông của máy, tương tự như một số mẫu điện thoại Xperia của Sony hay Galaxy S10e của Samsung.
Theo ông Kuo, đây sẽ là biện pháp hữu hiệu giúp Apple có thể khắc phục được những nhược điểm của Face ID, và cho phép người dùng có thêm sự lựa chọn tùy theo sở thích của họ.
“Vấn đề của cảm biến vân tay dưới màn hình là chúng rất đắt tiền và chỉ có thể hoạt động cùng với tấm nền OLED. Vì vậy đối với những mẫu iPhone màn hình LCD giá cả phải chăng, việc đưa Touch ID sang nút nguồn sẽ là biện pháp hữu hiệu hơn”, nhà phân tích Ming-Chi Kuo cho biết.
Trong thời gian gần đây, khi đại dịch virus corona bùng phát, rất nhiều người đã chọn đeo khẩu trang để bảo vệ mình cũng như người thân trước dịch bệnh nguy hiểm. Tuy nhiên, cũng vì điều này mà rất nhiều người dùng iPhone đã gặp rất nhiều khó khăn vì hệ thống Face ID không nhận diện được gương mặt chủ nhân thiết bị.
Vì lý do này, có rất nhiều người kêu gọi Apple mang tính năng Touch ID (quét vân tay) quay trở lại lên thế hệ iPhone mới. Theo nhiều người, mặc dù đây là công nghệ cũ hơn nhưng nó thực sự hiệu quả hơn Face ID trong những lúc tình huống cấp bách như lúc này. Hoặc Apple cũng có thể tích hợp cả Face ID và Touch ID trên cùng một chiếc iPhone để người dùng có thể lựa chọn.
Nếu nguồn dự đoán của “ông đồng” Ming-Chi Kuo chính xác, chắn chắn phần đông người dùng iPhone sẽ rất vui mừng vì quyết định này của Apple.